IRFBG30
Obsolete - MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
IRFBG30 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3.1A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
980 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
France
