IRFBF20S
Obsolete - MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
IRFBF20S Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.7A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
490 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Denmark
