IRFBC30

## Allgemeine Beschreibung

Der Vishay IRFBC30 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Schalt- und Leistungsverstärkeranwendungen entwickelt wurde. Er bietet niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) und hohe Stromtragfähigkeit, was ihn ideal für Anwendungen wie Motorsteuerungen, Netzteile, DC-DC-Wandler und Lastschalter macht. Der IRFBC30 ist für schnelle Schaltvorgänge optimiert und zeichnet sich durch robuste thermische Eigenschaften sowie integrierten ESD-Schutz aus.

## Halbleiterspezifikationen

* Typ: N-Kanal MOSFET
* Technologie: Trench MOSFET, verbessert niedrigen R_DS(on) und schnelle Schaltzeiten
* Gehäusetyp: TO-220, für einfache Montage und gute Wärmeableitung
* Gatespannung (V_GS): ±20 V maximal
* Drain-Source-Spannung (V_DS): 30 V
* Kontinuierlicher Drainstrom (I_D): 80 A bei V_GS = 10 V, Tc = 25 °C
* Puls-Drainstrom (I_DM): 320 A, kurzzeitig zulässig
* Einschaltwiderstand (R_DS(on)): 2,8 mΩ bei V_GS = 10 V, I_D = 50 A

## Elektrische Eigenschaften

* Gate-Ladung (Q_g): 170 nC typisch
* Gate-Source-Ladung (Q_gs): 60 nC
* Gate-Drain-Ladung (Q_gd): 35 nC
* Totzeit- bzw. Schaltverzögerungen: t_d(on) = 40 ns, t_d(off) = 80 ns typ.
* Drain-Source-Sättigungsspannung: V_DS(sat) typ. 0,1 V bei I_D = 50 A
* Stromverstärkung: Hohe Effizienz bei niedriger Gate-Spannung

## Thermisches Verhalten

* Junction-to-Case Wärmewiderstand (R_thJC): 0,48 °C/W
* Junction-to-Ambient Wärmewiderstand (R_thJA): 62,5 °C/W bei freier Luft ohne Kühlkörper
* Maximale Sperr-Junction-Temperatur: 175 °C
* Thermisches Management: TO-220-Gehäuse ermöglicht passive Kühlung, Kühlkörper empfohlen für höhere Ströme

## Schutz- und Betriebseigenschaften

* ESD-Schutz: Intern integriert, schützt gegen elektrostatische Entladungen
* Kurzschlussschutz: Nicht intern, muss extern implementiert werden
* Temperaturverhalten: Linearer Anstieg von R_DS(on) mit Temperatur, stabil für thermisch kontrollierte Anwendungen
* Gate-Source-Schutz: Limitiert Gate-Strom bei Überspannung

## Mechanische Eigenschaften

* Gehäuse: TO-220, 3-polig, Pb-frei, RoHS-konform
* Abmessungen: Standard TO-220, Höhe ca. 15 mm, Breite ca. 10 mm, Länge ca. 20 mm ohne Anschlussstifte
* Lötverfahren: Reflow-kompatibel, geeignet für manuelle oder maschinelle Montage
* Montage: Flansch für Schraubbefestigung, ideal für Wärmeableitung auf Kühlkörper

## Typische Anwendungsgebiete

* Hochstrom-Schaltanwendungen in Industrie- und Automobilbereich
* DC-DC-Wandler und Punkt-zu-Punkt-Spannungsregler
* Motorsteuerungen und Aktuatoransteuerung
* Lastschalter und Stromverteilungssysteme
* Audioverstärker und Hochleistungs-LED-Treiber

## Zusammenfassung der wichtigsten Spezifikationen

| Parameter | Wert |
| ------------------------------- | ---------------------- |
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Drain-Source-Spannung V_DS | 30 V |
| Gate-Source-Spannung V_GS | ±20 V |
| Kontinuierlicher Drainstrom I_D | 80 A |
| Puls-Drainstrom I_DM | 320 A |
| Einschaltwiderstand R_DS(on) | 2,8 mΩ bei V_GS = 10 V |
| Gate-Ladung Q_g | 170 nC |
| Schaltzeiten t_d(on)/t_d(off) | 40 ns / 80 ns |
| Gehäuse | TO-220 |
| Junction-Temperatur | max. 175 °C |
| Wärmewiderstand R_thJC | 0,48 °C/W |

Der Vishay IRFBC30 ist ein leistungsfähiger MOSFET für Hochstrom- und Schaltanwendungen, der durch niedrigen R_DS(on), schnelle Schaltzeiten und robuste thermische Eigenschaften überzeugt.