IRF820SPBF
Active - MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IRF820SPBF Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2.5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
360 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF820SPBF Inventar: 36400
5.0 / 5.0
2023-04-04 00:51
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Herzlich
2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:30
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2023-03-26 11:37
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