IRF640S
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
IRF640S Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640S Inventar: 34560
5.0 / 5.0
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
France
