IRF640LPBF
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
IRF640LPBF Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262-3
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
IRF640LPBF Inventar: 960
5.0 / 5.0
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank
2023-03-23 22:53
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
2023-03-23 13:21
Reibungsloses Arbeiten, danke
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