IRF620STRLPBF
Active - MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
IRF620STRLPBF Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5.2A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
260 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
France
