CSD19537Q3
Active - MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
CSD19537Q3 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
50A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3.6V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1680 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-VSON (3.3x3.3)
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
CSD19537Q3 Inventar: 48160
5.0 / 5.0
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.
2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen
2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!
2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen
Finland
