CSD13306WT
Active - MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
CSD13306WT Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11.2 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1370 pF @ 6 V
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-DSBGA (1x1.5)
Gehäuse / Hülle
6-UFBGA, DSBGA
CSD13306WT Inventar: 23500
5.0 / 5.0
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.
2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen
2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!
France
