STS5PF20V
Obsolete - MOSFET P-CH 20V 5A 8SO
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 5A 8SO
STS5PF20V Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
450mV @ 250μA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6 nC @ 2.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
412 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
France
