STS4DNFS30L
Obsolete - MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
STS4DNFS30L Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
55mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
330 pF @ 25 V
FET-Merkmal
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
STS4DNFS30L Inventar: 13080
5.0 / 5.0
2023-03-02 09:50
Alles ist in Ordnung. Schnelle Lieferzeit, 21 Tage ab Kauf.
2023-03-02 10:57
Ok danke
2023-03-02 13:37
Der erhaltene Artikel war das, was ich bestellt habe.
2023-03-02 10:57
Ok danke
2023-03-01 17:50
Hat den Trick gemacht. Wurde für einen ESP8266 Breakout-Board-Spannungsregler verwendet.
Poland
