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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  STMicroelectronics MJD122-1

MJD122-1

Active Icon Active - TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
MJD122-1
MJD122-1
STMicroelectronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
 
3D Model Icon

MJD122-1 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Leistung - Max.
20 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251 (IPAK)

MJD122-1 Inventar: 21560

Geschichte Preis
$1.02000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
Author Icon
Hugo Enrique Pérez
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
Author Icon
Mindaugas Egidijus
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt

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