MJD112T4
Active - TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112T4 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
20μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequenz - übergang
25MHz
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
MJD112T4 Inventar: 7900
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
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Finland
