IRF630FP
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
IRF630FP Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack
IRF630FP Inventar: 11320
5.0 / 5.0
2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
Italy
