1N1676
Active - DIODE GEN PURP 500V 275A DO9
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 500V 275A DO9
1N1676 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
500 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
275A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 300 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
75 μA @ 500 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AB, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
1N1676 Inventar: 7320
5.0 / 5.0
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
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