1N1666
Active - DIODE GEN PURP 500V 275A DO9
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 500V 275A DO9
1N1666 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
500 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
275A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 300 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
75 μA @ 500 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AB, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
1N1666 Inventar: 6020
5.0 / 5.0
2023-02-01 13:34
Alles sehr schnell und gute Qualität
2023-01-31 08:55
Atejo greit von 2 Sav
2023-01-29 13:49
Ich werde sie testen und zusätzliches Feedback hinterlassen
2022-09-23 13:37
Liefert nicht innerhalb von 10 Tagen
2023-01-29 05:13
Alles in Ordnung, meine Xbox One X works.__Recommend
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