1N1673R
Active - DIODE GEN PURP REV 200V 275A DO9
Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 200V 275A DO9
1N1673R Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
275A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 300 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
75 μA @ 200 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AB, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
1N1673R Inventar: 46240
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Finland
