1N1200RB
Active - DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
1N1200RB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 30 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 100 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N1200RB Inventar: 44070
5.0 / 5.0
2023-03-17 00:55
Elektronische Komponenten mit gültiger struktureller Festigkeit. Ich habe die Genauigkeit der Spannung nicht getestet, aber ich denke, alles ist regelmäßig. Der Verkäufer hat sofort versendet.
2023-03-18 16:42
Alles gut und sie kamen sehr schnell an
2023-03-19 14:53
Ich habe einen Bootloader mit Avrdude auf der Kommandozeile auf jede der 10 MCUs gebrannt und dann einen doppelt blinkenden LED-Code auf jede hochgeladen. Sie funktionierten wie ein Zauber. Sie sind alle großartig und haben ATmel drauf, so dass sie echt wirken. Keine Zitronen! Sehr schneller Versand ebenfalls.
2023-03-17 09:35
Gut angenommen. Artikel OK. Vielen Dank. Vielen Dank.
2023-03-16 05:43
Großartig, vielen Dank
Italy
