K4RAH165VP-BCWM

Active - IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
Beschreibung:
IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
K4RAH165VP-BCWM Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Speicherorganisation
1G x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Spannung - Versorgung
1.1 V
Betriebstemperatur
0 ~ 85 ℃
Gehäusetyp vom Lieferanten
106 FBGA
K4RAH165VP-BCWM Beschreibung
Der Samsung Semiconductor K4RAH165VP-BCWM ist ein hochentwickelter DRAM-Speicherchip, der speziell für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen der Elektronikindustrie konzipiert wurde. Dieser Speicherchip gehört zur Familie der DDR3 SDRAMs und bietet eine Kombination aus hoher Kapazität, Geschwindigkeit und Energieeffizienz, die ihn ideal für moderne Computer- und Mobilgeräte macht.
### Hauptmerkmale:
1. Speicherarchitektur: Der K4RAH165VP-BCWM basiert auf der DDR3-Architektur, die im Vergleich zu früheren Generationen wie DDR2 signifikante Verbesserungen in Bezug auf Geschwindigkeit und Energieeffizienz bietet. DDR3-Speicher ermöglicht höhere Datenraten und eine verbesserte Leistung bei gleichzeitig reduziertem Stromverbrauch.
2. Kapazität: Der Chip hat eine Speicherkapazität von 2 GB, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet macht, von mobilen Geräten bis hin zu Desktop-Computern und Servern.
3. Datenrate: Der K4RAH165VP-BCWM unterstützt Datenraten von bis zu 1600 MT/s (Megatransfers pro Sekunde), was eine schnelle Datenübertragung und verbesserte Systemleistung ermöglicht. Diese hohe Datenrate ist besonders vorteilhaft für Anwendungen, die eine schnelle Verarbeitung großer Datenmengen erfordern.
4. Betriebsspannung: Der Speicherchip arbeitet mit einer Betriebsspannung von 1,5 V, was ihn energieeffizient macht und den Stromverbrauch in mobilen und tragbaren Geräten reduziert. Diese niedrige Spannung trägt auch zur Verringerung der Wärmeentwicklung bei.
5. Temperaturbereich: Der K4RAH165VP-BCWM ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich ausgelegt, typischerweise von -40 °C bis +85 °C, was ihn für industrielle Anwendungen geeignet macht.
6. Gehäuse: Der Chip ist in einem kompakten FBGA (Fine Ball Grid Array) Gehäuse untergebracht, das eine einfache Integration in verschiedene Leiterplattendesigns ermöglicht und gleichzeitig eine hohe Packungsdichte bietet.
### Spezifikationen:
- Speicherart: DDR3 SDRAM
- Kapazität: 2 GB
- Datenrate: Bis zu 1600 MT/s
- Betriebsspannung: 1,5 V
- Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
- Gehäuse: FBGA
### Anwendungen:
Der Samsung Semiconductor K4RAH165VP-BCWM ist ideal für Anwendungen, die eine hohe Effizienz und präzise Spannungsregelung erfordern. Typische Anwendungen umfassen:
- Mobile Geräte: Smartphones, Tablets und Laptops, wo Platz und Energieeffizienz entscheidend sind.
- Desktop-Computer: Für Gaming und leistungsintensive Anwendungen, die schnellen Zugriff auf Daten erfordern.
- Server: In Rechenzentren, wo hohe Speicherkapazität und Geschwindigkeit für die Verarbeitung großer Datenmengen notwendig sind.
- Embedded-Systeme: In verschiedenen industriellen Anwendungen, die zuverlässigen und schnellen Speicher benötigen.
### Fazit:
Der Samsung Semiconductor K4RAH165VP-BCWM ist ein leistungsstarker DDR3-SDRAM-Speicherchip, der eine hervorragende Kombination aus Kapazität, Geschwindigkeit und Energieeffizienz bietet. Mit seinen fortschrittlichen Spezifikationen und der Vielseitigkeit in der Anwendung ist er eine ausgezeichnete Wahl für moderne elektronische Anwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern.
K4RAH165VP-BCWM Inventar: 8550
5.0 / 5.0

2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.

2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei

2021-11-04 06:37
Entspricht meiner Nutzung

2021-07-11 09:01
Getestet, funktioniert wie erwartet.

2021-12-09 23:36
Schneller Versand, OK