K4RAH086VP-BCWM

Active - IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
Beschreibung:
IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
K4RAH086VP-BCWM Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Speicherorganisation
2G x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Spannung - Versorgung
1.1 V
Betriebstemperatur
0 ~ 85 ℃
Gehäusetyp vom Lieferanten
82 FBGA
K4RAH086VP-BCWM Beschreibung
Der Samsung Semiconductor K4RAH086VP-BCWM ist ein hochentwickelter DRAM-Chip, der in verschiedenen Anwendungen, insbesondere in mobilen Geräten und Computern, eingesetzt wird. Hier sind die detaillierten Spezifikationen und Merkmale dieses Moduls:
### Allgemeine Spezifikationen:
- Typ: DDR3 SDRAM
- Kapazität: 1 GB (Gigabyte)
- Organisation: 8 Meg x 8 Bit
- Pin-Anzahl: 78 Pins
- Bauform: FBGA (Fine Ball Grid Array)
### Technische Spezifikationen:
- Betriebsspannung: 1.5 V (Volt)
- Datenrate: 1066 MT/s (Megatransfers pro Sekunde)
- Zugriffszeit: CAS Latency (CL) von 7
- Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C (Industrie-Temperaturbereich)
### Leistungsmerkmale:
- Energieeffizienz: Der K4RAH086VP-BCWM bietet eine verbesserte Energieeffizienz im Vergleich zu älteren DRAM-Technologien, was zu einer längeren Akkulaufzeit in mobilen Geräten führt.
- Datenintegrität: Integrierte Funktionen zur Fehlerkorrektur (ECC) sorgen für eine hohe Datenintegrität und Zuverlässigkeit.
- Hohe Bandbreite: Die Architektur ermöglicht eine hohe Bandbreite, die für anspruchsvolle Anwendungen erforderlich ist.
### Anwendungen:
- Mobile Geräte: Ideal für Smartphones, Tablets und andere tragbare Geräte.
- Computersysteme: Verwendung in Laptops und Desktop-Computern für verbesserte Leistung.
- Embedded Systems: Einsatz in eingebetteten Systemen, die eine zuverlässige Speicherlösung benötigen.
### Vorteile:
- Zukunftssichere Technologie: DDR3 ist eine bewährte Technologie, die in vielen modernen Geräten eingesetzt wird.
- Kosteneffizienz: Bietet ein gutes Preis-Leistungs-Verhältnis für Hersteller und Endbenutzer.
- Flexibilität: Kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, von Consumer Electronics bis hin zu industriellen Anwendungen.
### Fazit:
Der Samsung Semiconductor K4RAH086VP-BCWM ist ein leistungsstarker und zuverlässiger DRAM-Chip, der sich durch seine hohe Kapazität, Energieeffizienz und Vielseitigkeit auszeichnet. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für Hersteller, die nach einer robusten Speicherlösung für ihre Produkte suchen.
K4RAH086VP-BCWM Inventar: 34750
5.0 / 5.0

2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.

2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen

2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!

2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen

2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.