FFSM1065A
Active - DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Beschreibung:
DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
FFSM1065A Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
11A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.75 V @ 10 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
200 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
575pF @ 1V, 100kHz
Gehäuse / Hülle
4-PowerTSFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-PQFN (8x8)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
FFSM1065A Inventar: 32760
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
United States
