FFSM0865B
Active - DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
FFSM0865B Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
11.6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
40 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
336pF @ 1V, 100kHz
Gehäuse / Hülle
4-PowerTSFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-PQFN (8x8)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
FFSM0865B Inventar: 49240
5.0 / 5.0
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
United States
