FFSM0865A
Active - DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
FFSM0865A Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
9.6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.75 V @ 8 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
200 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
463pF @ 1V, 100kHz
Gehäuse / Hülle
4-PowerTSFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-PQFN (8x8)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
FFSM0865A Inventar: 16100
5.0 / 5.0
2023-03-18 12:46
Alles ok wie beschrieben
2023-03-17 08:54
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand, danke
2023-03-17 00:55
Elektronische Komponenten mit gültiger struktureller Festigkeit. Ich habe die Genauigkeit der Spannung nicht getestet, aber ich denke, alles ist regelmäßig. Der Verkäufer hat sofort versendet.
2023-03-18 16:42
Alles gut und sie kamen sehr schnell an
2023-03-19 14:53
Ich habe einen Bootloader mit Avrdude auf der Kommandozeile auf jede der 10 MCUs gebrannt und dann einen doppelt blinkenden LED-Code auf jede hochgeladen. Sie funktionierten wie ein Zauber. Sie sind alle großartig und haben ATmel drauf, so dass sie echt wirken. Keine Zitronen! Sehr schneller Versand ebenfalls.
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