FFSD0865B
Active - DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
FFSD0865B Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
11.6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
40 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
336pF @ 1V, 100kHz
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
D-PAK (TO-252)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
FFSD0865B Inventar: 38320
5.0 / 5.0
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
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