FDS86267P
Active - MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
FDS86267P Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2.2A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
255mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1130 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS86267P Inventar: 13990
5.0 / 5.0
2023-03-21 12:26
Alles ist in Ordnung
2023-03-17 23:55
Noch nicht in der Schaltung getestet...
2023-03-09 03:13
KEINER der 10 Chips hat richtig funktioniert. Wenn ich sie belaste, kollidiert etwas im Inneren der Chips und die Ausgangsspannung springt auf die Eingangsspannung. Danach regelt der Chip nicht mehr. Ausgangsspannung = Eingangsspannung. Sehr schlechte Qualität !
2023-03-20 04:01
Wie beschrieben. Ich habe sie für einen ESP32 gekauft, aber sie geben nicht genug Leistung. Ich habe in diesem Laden den ht7833 bestellt, dass ich schon warte, wenn
2023-03-17 01:37
Ein paar Stücke schon przylutowalem ist OK
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