FDS2582
Active - MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
FDS2582 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4.1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
66mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1290 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS2582 Inventar: 14750
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Finland
