FDS86242
Active - MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
FDS86242 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4.1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
67mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
760 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS86242 Inventar: 49110
5.0 / 5.0
2023-01-26 16:09
Das Produkt kam wie angekündigt an.
2023-01-25 00:36
Alles perfekt. Vielen Dank.
2023-01-24 00:19
Alles in bester Ordnung. Empfehlen.
2023-01-25 08:28
Großartige Chip-Good-Verpackung dauerte nur 3 Wochen in den Staaten
2023-01-27 10:43
Ausgezeichnet, sehr schnell gesendet
United States
