FDS6673BZ
Active - MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
FDS6673BZ Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
14.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
124 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4700 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6673BZ Inventar: 4320
5.0 / 5.0
2023-05-16 05:43
100% OK !!
2023-05-17 10:19
Sehr gute Transaktion schnelle Lieferung, produktkonform, Verkäufer zu empfehlen danke
2023-05-20 00:45
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2023-05-22 07:03
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2023-05-16 05:38
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