FDS6612A
Active - MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
FDS6612A Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8.4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
22mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7.6 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
560 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6612A Inventar: 15440
5.0 / 5.0
2023-04-11 18:34
OK mehr Pas-Test
2023-04-18 09:27
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-04-17 10:01
Alles in Ordnung! Guter Verkäufer
2023-04-16 07:52
Wie versprochen schneller Versender Original-Komponente! Sehr schneller Kommunikator!
2023-04-11 13:26
Alles war gut, sehr schneller Versand, zufrieden mit dem Kauf
France
