FDS6575
Active - MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6575 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
74 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4951 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6575 Inventar: 22740
5.0 / 5.0
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
France
