FDS4470

Active - MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
FDS4470 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2659 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS4470 Beschreibung
### Einführung des onsemi FDS4470
Der FDS4470 ist ein N-Kanal MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), der von onsemi entwickelt wurde. Dieses Bauelement ist für Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert und zeichnet sich durch seine hohe Effizienz, geringe Leitungsverluste und kompakte Bauform aus. Der FDS4470 wird häufig in DC-DC-Wandlern, Motorantrieben, Schaltreglern und anderen Leistungsschaltungen eingesetzt.
### Wichtige Merkmale
1. N-Kanal MOSFET: Bietet hohe Leistungsfähigkeit und Effizienz.
2. Geringe R_DS(on): Minimale Durchlasswiderstand für reduzierte Leistungsverluste.
3. Hohe Schaltgeschwindigkeit: Ideal für Hochfrequenzanwendungen.
4. Schutzschaltung: Integrierte Schutzmechanismen gegen Überstrom und Übertemperatur.
5. Kompakte Bauweise: Ermöglicht eine platzsparende Integration in elektronische Schaltungen.
### Technische Spezifikationen
Hier sind die wichtigsten technischen Daten des FDS4470:
| Parameter | Wert |
|------------------------------------|-------------------------------|
| Maximale Drain-Source-Spannung (V_DSS) | 30 V |
| Maximaler Drain-Strom (I_D) | 55 A |
| Durchlasswiderstand (R_DS(on)) | 9.5 mΩ (bei V_GS = 10V) |
| Gate-Source-Spannung (V_GS) | ±20 V |
| Schaltzeiten (t_on / t_off) | 45 ns / 35 ns |
| Maximale Verlustleistung (P_D) | 94 W |
| Temperaturbereich | -55 °C bis +150 °C |
| Gehäuse | SO-8 |
### Funktionsweise
Der FDS4470 funktioniert als Schalter in einer Vielzahl von Anwendungen. Wenn ein positives Signal am Gate angelegt wird (V_GS > V_th), fließt ein Strom zwischen Drain und Source, wodurch der MOSFET „ein“ geschaltet wird. Bei einem negativen oder null Signal am Gate wird der MOSFET „aus“ geschaltet, und der Stromfluss wird unterbrochen. Dies ermöglicht eine präzise Steuerung von elektrischen Strömen und Spannungen in Schaltungen.
### Anwendungen
Der FDS4470 findet Anwendung in zahlreichen Bereichen, darunter:
1. DC-DC-Wandler: Verwendung in Schritt-down und Schritt-up Wandlern.
2. Motorantriebe: Steuerung von Gleichstrommotoren in verschiedenen industriellen Anwendungen.
3. Energieverwaltung: Einsatz in Energieverteilungssystemen zur Steuerung von Lasten.
4. Ladegeräte: Verwendung in Ladegeräten für Lithium-Ionen-Batterien.
### Vorteile
- Hohe Effizienz: Aufgrund des geringen R_DS(on) werden Leistungsverluste minimiert, was zu einer höheren Gesamteffizienz der Schaltung führt.
- Robustheit: Die hohe maximale Temperaturbeständigkeit sorgt für Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
- Einfache Integration: Die kompakte Bauform ermöglicht eine einfache Integration in bestehende Designs ohne großen Platzbedarf.
### Fazit
Der onsemi FDS4470 ist ein leistungsfähiger N-Kanal MOSFET, der sich hervorragend für eine Vielzahl von Leistungselektronik-Anwendungen eignet. Mit seinen herausragenden Spezifikationen und der hohen Effizienz ist er eine ausgezeichnete Wahl für Ingenieure, die leistungsstarke und zuverlässige Lösungen entwickeln möchten. Für detaillierte Informationen und Anwendungsbeispiele wird empfohlen, das offizielle Datenblatt von onsemi zu konsultieren.
FDS4470 Inventar: 47200
5.0 / 5.0

2023-04-04 00:51
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