FDC6327C
Active - MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
FDC6327C Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
N and P-Channel
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
2.7A, 1.9A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.5V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
4.5nC @ 4.5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
325pF @ 10V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700mW
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gehäuse / Hülle
SuperSOT?-6
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Spain
