FDC6301N
Active - MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
FDC6301N Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Dual)
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
220mA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.5V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
0.7nC @ 4.5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.5pF @ 10V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700mW
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gehäuse / Hülle
SuperSOT?-6
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Spain
