FDA18N50
Last Time Buy - MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
FDA18N50 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Produktstatus
Last Time Buy
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
19A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2860 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
239W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Italy
