FDA59N30
Active - MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
FDA59N30 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
59A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
56mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4670 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
FDA59N30 Inventar: 12020
5.0 / 5.0
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.
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