EGF1C
Active - DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
EGF1C Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
150 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 1 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
50 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 150 V
Kapazität bei Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-214AC, SMA
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
EGF1C Inventar: 44600
5.0 / 5.0
2023-02-11 06:08
Ein Teil der Chips kam 3843 an = 3843 Mrd. bezahlt
2023-02-14 08:44
Schneller Versand genaue Produktbeschreibung
2023-02-16 00:12
Wurde sehr spät versendet
2023-02-16 00:02
Gut angekommen in 11 Tagen scheinen alle gut zu sein, danke
2023-02-13 17:15
Ausgezeichnet!!! Vielen Dank
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