EGF1D
Active - DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
EGF1D Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 1 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
50 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-214AC, SMA
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
EGF1D Inventar: 22360
5.0 / 5.0
2023-02-28 12:17
Schneller Versand, alles OK. Empfehlen.
2023-02-27 05:44
Ich empfehle diesen Verkäufer.... Alles ist in Ordnung.
2023-02-26 12:15
Schnell zur Verfügung gestellt, gut verpackt, gute Qualität
2023-02-27 07:35
Lieferung erhalten, Transistoren nicht ausgebreitet.
2023-02-26 04:12
Alles gut, ich empfehle Verkäufer
Poland
