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2N5115

Active - P CHANNEL JFET

Hersteller:

Microchip Technology

Hersteller-Teil #

2N5115

Kategorie:

Transistoren - JFETs

Datenblatt:

2N5115

Beschreibung:

P CHANNEL JFET

2N5115 Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Transistoren - JFETs

Hersteller

Microchip Technology

Reihe

Military, MIL-PRF-19500

Verpackung

Bulk

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)

30 V

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30 V

Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)

60 mA @ 15 V

Strom, Drain (Id) - max.

-

Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id

6 V @ 1 nA

EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds

25pF @ 15V

Widerstand - RDS(On)

100 Ohms

Leistung - Max.

500 mW

Betriebstemperatur

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Gehäuse / Hülle

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Gehäusetyp vom Lieferanten

TO-18 (TO-206AA)

2N5115 Inventar: 5310

Geschichte Preis

$34.47360

5.0 / 5.0

Dainius Pocius

Lithuania

2023-01-26 00:18

Gauta. Netikrints Veikimas.

Ylenia Gallo

Italy

2023-01-25 06:11

Perfekt und schnell angekommen

Martín Antonio

Spain

2023-01-25 07:34

Alles super!

Olivier Delaunay

France

2023-01-25 00:07

Conforme j

Emily King

United States

2023-01-27 11:44

Die Beschriftung ist sehr deutlich, gibt aber zur Identifizierung des Bauteils an.

2N5115

2N5115 Spezifikation

2N5115 Inventar: 5310

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