2N5116
Active - P-CHANNEL MOSFET TO-18
Beschreibung:
P-CHANNEL MOSFET TO-18
2N5116 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 mV
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
-
Strom, Drain (Id) - max.
-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
25pF @ 15V
Widerstand - RDS(On)
150 Ohms
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18
2N5116 Inventar: 24740
5.0 / 5.0
2023-02-01 10:02
Nächstes Mal wieder in diesem Shop bestellen super
2023-02-01 09:28
Richtiger Artikel. Sehr gut verpackt. Schneller Empfang.
2023-02-02 03:02
Ich habe es in meiner Arbeit nicht überprüft, also habe ich kein Recht, es zu empfehlen, wenn es Probleme gibt, werde ich es rückgängig machen
2023-02-02 16:23
Sie sind sehr gut angekommen, ich hoffe, wieder verhandeln zu können, vielen Dank.
2023-02-03 08:09
Sehr gutes Produkt, schnelle Lieferung
Netherlands
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