2N4930
Active - NPN SILICON TRANSISTOR
Beschreibung:
NPN SILICON TRANSISTOR
2N4930 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.2V @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
250nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 30mA, 10V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
2N4930 Inventar: 45040
5.0 / 5.0
2023-03-03 07:27
Sehr gute Qualität
2023-03-03 00:54
Übereinstimmend mit dem, was ich erwartet habe ..
2023-03-03 06:27
Perfekt wie immer
2023-03-03 17:39
Schnell angekommen, ordentlich verpackt, (mit Vertreterkarte)
2023-03-03 11:03
Wird verwendet, um die Imagekarte zu reparieren, da die rel__Is nicht aktiviert wurde. Funktioniert jetzt einwandfrei
Poland
