Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N4001

2N4001

Active Icon Active - POWER BJT
2N4001
2N4001
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N4001 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 100μA, 500μA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
1 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N4001 Inventar: 18000

Geschichte Preis
$23.40000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Jip de Jong
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-01-24 11:28
Guter Verkäufer. Produkt OK, aber ein bisschen auf der teuren Seite.
Author Icon
Dainius Pocius
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-01-26 00:18
Gauta. Netikrints Veikimas.
Author Icon
Ylenia Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-01-25 06:11
Perfekt und schnell angekommen
Author Icon
Martín Antonio
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-25 07:34
Alles super!
Author Icon
Olivier Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-01-25 00:07
Conforme j

2N4001 Verwandte Teile

2N4870
2N4870
2N4001
2N4402
2N4990
2N4037 PBFREE
2N4403TA
2N4403_D81Z
2N4403TAR
2N4403TF
2N4403ZL1
2N4403
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *