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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N4877

2N4877

Active Icon Active - POWER BJT
2N4877
2N4877
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N4877 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
10 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N4877 Inventar: 6960

Geschichte Preis
$15.73500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Vanessa Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
Author Icon
Ugo Marino
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
Author Icon
Stanisław Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
Author Icon
John Jones
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
Author Icon
Krystyna Zawadzka
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc

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