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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N1131L

2N1131L

Active Icon Active - POWER BJT
2N1131L
2N1131L
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N1131L Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.3V @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 150mA, 10V
Leistung - Max.
600 mW
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N1131L Inventar: 15640

Geschichte Preis
$25.57500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Ylenia Ruggiero
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer
Author Icon
Ewelina Wróbel
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
Author Icon
Melissa Perez
Location Icon United States
5 stars
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
Author Icon
Vanessa Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
Author Icon
Ugo Marino
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen

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