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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N1506

2N1506

Active Icon Active - POWER BJT
2N1506
2N1506
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N1506 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 50μA, 100μA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
3 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N1506 Inventar: 13340

Geschichte Preis
$33.03000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Nienke de Lange
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-02-01 10:02
Nächstes Mal wieder in diesem Shop bestellen super
Author Icon
Jonathan Mitchell
Location Icon United States
5 stars
2023-02-01 09:28
Richtiger Artikel. Sehr gut verpackt. Schneller Empfang.
Author Icon
Patricia Elena
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-02 03:02
Ich habe es in meiner Arbeit nicht überprüft, also habe ich kein Recht, es zu empfehlen, wenn es Probleme gibt, werde ich es rückgängig machen
Author Icon
Teresa Mendoza
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-02 16:23
Sie sind sehr gut angekommen, ich hoffe, wieder verhandeln zu können, vielen Dank.
Author Icon
Beatrice Colombo
Location Icon Italy
5 stars
2023-02-03 08:09
Sehr gutes Produkt, schnelle Lieferung

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