IRF323
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Beschreibung:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF323 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2.8A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Verlustleistung (max.)
50W
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AA (TO-3)
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
IRF323 Inventar: 10950
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
