IRF123
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Beschreibung:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF123 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
600 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
IRF123 Inventar: 26560
5.0 / 5.0
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
Italy
