Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs  /  Integra Technologies IGN1011L70

IGN1011L70

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L70
IGN1011L70
Integra Technologies
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L70 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Technologie
GaN HEMT
Konfiguration
1.03GHz ~ 1.09GHz
Frequenz
22dB
Verstärkung
50 V
Spannung - Test
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
22 mA
Strom - Test
80W
Leistung - Abgabe
120 V
Spannung - Nennwert
-
Montagetyp
PL32A2
Gehäuse / Hülle
PL32A2
Gehäusetyp vom Lieferanten
-

IGN1011L70 Inventar: 19920

Geschichte Preis
$222.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Gutes Produkt und funktionieren korrekt.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen

IGN1011L70 Verwandte Teile

IGN1214L500B
IGN0912LM500
IGN1011L1200
IGN1011L70
IGN1214M300
IGN2729M400R2
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *