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IGN1011L1200

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L1200
IGN1011L1200
Integra Technologies
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L1200 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Tray
Produktstatus
Active
Technologie
HEMT
Konfiguration
1.03GHz ~ 1.09GHz
Frequenz
16.8dB
Verstärkung
50 V
Spannung - Test
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
160 mA
Strom - Test
1250W
Leistung - Abgabe
180 V
Spannung - Nennwert
-
Montagetyp
PL84A1
Gehäuse / Hülle
PL84A1
Gehäusetyp vom Lieferanten
-

IGN1011L1200 Inventar: 27860

Geschichte Preis
$914.14000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
IGBT-Transistoren nicht erkannt SA für Testerach neben plus t7-h, in tescie für przelaczanie mit-12V für E plus zarowka gespeist 12V für C getriggert Finger mit Plus, zalancza mit-wylancza. Sehr schnelle wysylka, schnelle Lieferung, Produkt gut jakosci, sehr wir
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Gutes Produkt und funktionieren korrekt.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.

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