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EPC2021

Active Icon Active - GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC2021
EPC2021
EPC
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
GANFET N-CH 80V 90A DIE
 
3D Model Icon

EPC2021 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
90A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 14mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1650 pF @ 40 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
Gehäuse / Hülle
Die

EPC2021 Inventar: 17300

Geschichte Preis
$7.55000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!

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