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EPC2015C

Active Icon Active - GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC2015C
EPC2015C
EPC
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
GANFET N-CH 40V 53A DIE
 
3D Model Icon

EPC2015C Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
53A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1180 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
Gehäuse / Hülle
Die

EPC2015C Inventar: 46550

Geschichte Preis
$4.62000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei
Author Icon
Paul Roy
Location Icon France
5 stars
2021-11-04 06:37
Entspricht meiner Nutzung
Author Icon
Laura Cristina
Location Icon Spain
5 stars
2021-07-11 09:01
Getestet, funktioniert wie erwartet.
Author Icon
Halina Jankowska
Location Icon Poland
5 stars
2021-12-09 23:36
Schneller Versand, OK

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